انتہائی عملی تجاویز: الیکٹرانک اجزاء کے معائنہ کے تقاضے اور طریقے----سیمک کنڈکٹر ڈیوائسز (2-ٹرائیڈ 2 کیا ہے)
Oct 24, 2023
ایک پیغام چھوڑیں۔
https://www.kaichuanpower.com/
فیلڈ ایفیکٹ ٹیوب: MOS فیلڈ ایفیکٹ ٹیوب ایک دھاتی آکسائیڈ-سیمی کنڈکٹر فیلڈ ایفیکٹ ٹیوب ہے، انگریزی مخفف MOSFET (Metal-Oxide-SemiconductorField-effect-Transistor) ہے، جو ایک موصل گیٹ کی قسم ہے۔
The basic working principle of the metal oxide semiconductor field effect transistor is to rely on the electric field effect on the surface of the semiconductor to induce a conductive channel in the semiconductor to work. When the gate G voltage VG increases, the majority carriers and holes on the surface of the p-type semiconductor gradually decrease and are exhausted, while the electrons gradually accumulate to the inversion type. When the surface reaches inversion, the electron accumulation layer will form a conductive channel between the n+ source region S and the n+ drain region D. When VDS≠0, a large current IDS flows between the source and drain electrodes. The gate-source voltage required to make the semiconductor surface reach a strong inversion state is called the threshold voltage VT. When VGS>VT مختلف قدریں لیتا ہے، الٹی پرت کی چالکتا بدل جائے گی، اور سورس ڈرین کرنٹ IDS پر گیٹ سورس وولٹیج VGS کے کنٹرول کو محسوس کرتے ہوئے، ایک ہی VDS کے تحت مختلف IDS بنائے جائیں گے۔
فیلڈ ایفیکٹ کی درجہ بندی: فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹرز میں بنیادی طور پر جنکشن فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹرز (JFET) اور انسولیٹڈ گیٹ فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹرز (IGFET) شامل ہیں۔ موصل گیٹ فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹر کا سبسٹریٹ (B) سورس (S) سے جڑا ہوا ہے۔ اس کے تین کھمبے گیٹ (G)، نالی (D) اور ذریعہ (S) ہیں۔ ٹرانزسٹروں کو NPN اور PNP ٹرانزسٹروں میں تقسیم کیا گیا ہے، اور ان کے تین قطب ہیں بیس (b)، کلکٹر (c)، اور emitter (e)۔ فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹر کے جی، ڈی، اور ایس پولز ٹرانزسٹر کے b، c، اور e پولز کی طرح کام کرتے ہیں۔ موصل گیٹ ٹائپ ایفیکٹ ٹرانزسٹرز اور جنکشن ٹائپ فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹرز کے درمیان فرق یہ ہے کہ ان کے کنڈکٹیو میکانزم اور موجودہ کنٹرول کے اصول بنیادی طور پر مختلف ہیں۔ جنکشن قسم کی ٹیوبیں نالی کے کرنٹ کو کنٹرول کرنے کے لیے کنڈکٹیو چینل کی چوڑائی کو تبدیل کرنے کے لیے ڈیپلیشن ریجن کی چوڑائی میں تبدیلی کا استعمال کرتی ہیں۔ موصلیت گیٹ فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹرز سیمی کنڈکٹر کی سطح پر برقی فیلڈ اثر اور برقی طور پر حوصلہ افزائی شدہ چارج کی مقدار کو کرنٹ کو کنٹرول کرنے کے لیے کنڈکٹیو چینل کو تبدیل کرنے کے لیے استعمال کرتے ہیں۔ ان کی خصوصیات میں فرق کا مطلب یہ ہے کہ جنکشن فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹر اکثر پاور ایمپلیفائرز کے ان پٹ اسٹیج (پری اسٹیج) میں استعمال ہوتے ہیں، جب کہ پاور ایمپلیفائرز کے آخری اسٹیج (آؤٹ پٹ اسٹیج) میں انسولیٹڈ گیٹ فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹر استعمال کیے جاتے ہیں۔ فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹر کا کام کرنے والا اصول ٹرائیوڈ جیسا ہی ہے، سوائے اس کے کہ ان میں سے ایک وولٹیج سے کنٹرول شدہ جزو ہے اور دوسرا کرنٹ کنٹرولڈ جزو ہے۔ فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹر میں صرف ایک PN جنکشن ہے، جیسا کہ شکل 1-1 میں دکھایا گیا ہے۔
